物理学报2008，Vol.57Issue(4)：2468-2475,8.
金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/fγ噪声相关性研究
Research on correlation of 1/fγ noise and hot carrier degradation in metal oxide semiconductor field effect transistor
刘宇安 1杜磊 2包军林3
作者信息
- 1. 井冈山学院数理学院,吉安,343009
- 2. 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071
- 3. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
- 折叠
摘要
关键词
金属氧化物半导体场效应管/热载流子/1/fγ噪声分类
数理科学引用本文复制引用
刘宇安,杜磊,包军林..金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/fγ噪声相关性研究[J].物理学报,2008,57(4):2468-2475,8.
