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In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性

商丽燕 褚君浩 林铁 周文政 黄志明 李东临 高宏玲 崔利杰 曾一平 郭少令

物理学报2008，Vol.57Issue(4)：2481-2485,5.
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物理学报2008，Vol.57Issue(4)：2481-2485,5.

In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性

Electron transport properties of In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells with two occupied subbands

商丽燕 1褚君浩 1林铁 1周文政 1黄志明 2李东临 1高宏玲 3崔利杰 3曾一平 3郭少令3

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
  • 2. 广西大学物理科学与工程技术学院,南宁,530004
  • 3. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

二维电子气/散射时间/自洽计算

分类

数理科学

引用本文复制引用

商丽燕,褚君浩,林铁,周文政,黄志明,李东临,高宏玲,崔利杰,曾一平,郭少令..In0.53 Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性[J].物理学报,2008,57(4):2481-2485,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60221502)资助的课题. （批准号:60221502）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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