电子学报2002，Vol.30Issue(2)：252-254,3.
热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征
Hot Carrier-Induced Interface Traps in N-Channel MOSFET/SOI Characterized by a Forward Gated-Diode Technique
何进 1张兴 1黄如 1王阳元1
作者信息
- 1. 北京大学微电子学研究所,北京,100871
- 折叠
摘要
关键词
热载流子应力效应/界面陷阱/R-G电流/正向栅控二极管/MOSFET/SOI分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
何进,张兴,黄如,王阳元..热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征[J].电子学报,2002,30(2):252-254,3.
