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吸收限附近GaAs在劳厄情况下的荧光溢出

徐章程 郭常霖 赵宗彦 深町共荣 根岸利一郎 吉泽正美 中岛哲夫

ACTA PHYSICA SINICAIssue(2):252-259,8.
ACTA PHYSICA SINICAIssue(2):252-259,8.

吸收限附近GaAs在劳厄情况下的荧光溢出

徐章程 1郭常霖 1赵宗彦 2深町共荣 2根岸利一郎 2吉泽正美 2中岛哲夫2

作者信息

  • 1. 中国科学院上海硅酸研究所
  • 折叠

摘要

关键词

晶体/荧光X射线/吸收限/砷化镓/荧光溢出

分类

数理科学

引用本文复制引用

徐章程,郭常霖,赵宗彦,深町共荣,根岸利一郎,吉泽正美,中岛哲夫..吸收限附近GaAs在劳厄情况下的荧光溢出[J].ACTA PHYSICA SINICA,1998,(2):252-259,8.

ACTA PHYSICA SINICA

OA北大核心CSCD

1000-3290

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