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MeV高能B+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除

卢武星 钱亚宏 田人和 王忠烈

物理学报Issue(2)：254-260,254a,254b,9.
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物理学报Issue(2)：254-260,254a,254b,9.

MeV高能B+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除

卢武星 1钱亚宏 1田人和 1王忠烈1

作者信息

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摘要

关键词

B＋/离子注入/Si/缺陷/退火

分类

信息技术与安全科学

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卢武星,钱亚宏,田人和,王忠烈..MeV高能B+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除[J].物理学报,1990,(2):254-260,254a,254b,9.

物理学报

OACSCD

1000-3290

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