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四探针法测量应变Si1-xGex掺杂浓度

戴显英 王伟 张鹤鸣 何林 张静 胡辉勇 吕懿

西安电子科技大学学报（自然科学版）2003，Vol.30Issue(2)：255-258,280,5.
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西安电子科技大学学报（自然科学版）2003，Vol.30Issue(2)：255-258,280,5.

四探针法测量应变Si1-xGex掺杂浓度

Measurement of doping concentration in strained Si1-xGex with four-probe array

戴显英 1王伟 1张鹤鸣 1何林 2张静 2胡辉勇 1吕懿1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071
  • 2. 信息产业部,电子24所,重庆,400060
  • 折叠

摘要

关键词

Si1-xGex材料/迁移率模型/电阻率/掺杂浓度/四探针

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

戴显英,王伟,张鹤鸣,何林,张静,胡辉勇,吕懿..四探针法测量应变Si1-xGex掺杂浓度[J].西安电子科技大学学报（自然科学版）,2003,30(2):255-258,280,5.

基金项目

模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(99JS09.3.1DZ0111) （99JS09.3.1DZ0111）

西安电子科技大学学报（自然科学版）

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2400

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