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生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响

王莉莉 王辉 孙苋 王海 朱建军 杨辉 梁骏吾

半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：257-259,3.
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半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：257-259,3.

生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响

Influence of Temperature on MOCVD Growth of InGaN

王莉莉 1王辉 1孙苋 1王海 1朱建军 1杨辉 1梁骏吾1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083
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摘要

关键词

InGaN/X射线衍射/光致发光

分类

电子信息工程

引用本文复制引用

王莉莉,王辉,孙苋,王海,朱建军,杨辉,梁骏吾..生长温度对MOCVD外延生长InGaN的影响[J].半导体学报,2007,28(z1):257-259,3.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003) （批准号:60506001,60576003）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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