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蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长

肖红领 王晓亮 杨翠柏 胡国新 冉军学 王翠梅 张小宾 李建平 李晋闽

半导体学报2007,Vol.28Issue(z1):260-262,3.
半导体学报2007,Vol.28Issue(z1):260-262,3.

蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长

MOCVD Growth of InN Films on Sapphire Substrates

肖红领 1王晓亮 1杨翠柏 1胡国新 1冉军学 1王翠梅 1张小宾 1李建平 1李晋闽1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,材料中心,北京,100083
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摘要

关键词

氮化铟/MOCVD/半峰宽/迁移率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

肖红领,王晓亮,杨翠柏,胡国新,冉军学,王翠梅,张小宾,李建平,李晋闽..蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长[J].半导体学报,2007,28(z1):260-262,3.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:60606002) (批准号:60606002)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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