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用氧化多孔硅方法制备厚的Si02膜及其微观分析

欧海燕 杨沁清 雷红兵 王红杰 余金中 王启明 胡雄伟

半导体学报2000,Vol.21Issue(3):260-263,4.
半导体学报2000,Vol.21Issue(3):260-263,4.

用氧化多孔硅方法制备厚的Si02膜及其微观分析

Growth and Microanalysis of Thick Oxidized Porous Silicon

欧海燕 1杨沁清 1雷红兵 1王红杰 1余金中 1王启明 1胡雄伟2

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京 100083
  • 2. 国家光电子工艺中心北京 100083
  • 折叠

摘要

关键词

阳极氧化法/厚二氧化硅/硅基二氧化硅光波导器件

引用本文复制引用

欧海燕,杨沁清,雷红兵,王红杰,余金中,王启明,胡雄伟..用氧化多孔硅方法制备厚的Si02膜及其微观分析[J].半导体学报,2000,21(3):260-263,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目,项目号:69896260,69889701[Project Supported by National Natural Science Founda tion of China Under Grant No. 69896260 and 69889701]. ()

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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