半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：263-266,4.
物理气相法制备AlN晶体
Growth of AlN Crystals by PVT
摘要
关键词
物理气相传输/AlN晶体/生长温度分类
数理科学引用本文复制引用
武红磊,郑瑞生,孙秀明..物理气相法制备AlN晶体[J].半导体学报,2007,28(z1):263-266,4.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60376003,60576005),广东省自然科学基金(批准号:04011297),教育部科技研究基金(批准号:[2005]3号)和深圳市科技计划(批准号:200517)资助项目 （批准号:60376003,60576005）
