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退火对电子束热蒸发193nm Al2O3/MgF2反射膜性能的影响

尚淑珍 邵建达 沈健 易葵 范正修

物理学报2006，Vol.55Issue(5)：2639-2643,5.
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物理学报2006，Vol.55Issue(5)：2639-2643,5.

退火对电子束热蒸发193nm Al2O3/MgF2反射膜性能的影响

Effects of annealing on electron-beam evaporated 193nm Al2O3/MgF2 HR mirrors

尚淑珍 1邵建达 2沈健 1易葵 1范正修1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术与研究发展中心,上海,201800
  • 2. 中国科学院研究生院,北京,100049
  • 折叠

摘要

关键词

193nm反射膜/退火/光学损耗/吸收

分类

数理科学

引用本文复制引用

尚淑珍,邵建达,沈健,易葵,范正修..退火对电子束热蒸发193nm Al2O3/MgF2反射膜性能的影响[J].物理学报,2006,55(5):2639-2643,5.

基金项目

上海市科委光科技专项行动计划项目(批准号:022261051)资助的课题. （批准号:022261051）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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