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InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性

郑联喜 胡雄伟 韩勤

半导体学报Issue(4)：265,1.
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半导体学报Issue(4)：265,1.

InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性

郑联喜 1胡雄伟 1韩勤2

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心
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摘要

关键词

半导体激光器/量子阱/生长/砷化镓/界面特性

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郑联喜,胡雄伟,韩勤..InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性[J].半导体学报,1999,(4):265,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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