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高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性

张素梅 石家纬 赵世舜 胡贵军

发光学报2004，Vol.25Issue(3)：267-271,5.
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发光学报2004，Vol.25Issue(3)：267-271,5.

高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性

High-power AlGaAs/GaAs Single Quantum Well (SQW) Remote Junction Lasers and Its Aging Characteristic

张素梅 1石家纬 1赵世舜 2胡贵军1

作者信息

  • 1. 吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,吉林,长春,130023
  • 2. 吉林大学,数学学院,吉林,长春,130012
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摘要

关键词

高功率半导体激光器/远结/单量子阱/AlGaAs/GaAs

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张素梅,石家纬,赵世舜,胡贵军..高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性[J].发光学报,2004,25(3):267-271,5.

基金项目

教育部博士点基金资助项目 （）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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