|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|MOCVD源物质Ti(OC4H9)4的重复性研究

MOCVD源物质Ti(OC4H9)4的重复性研究

孙一军 夏冠群 张良莹 姚熹

半导体学报Issue(4)：270,1.
✕
半导体学报Issue(4)：270,1.

MOCVD源物质Ti(OC4H9)4的重复性研究

孙一军 1夏冠群 2张良莹 3姚熹3

作者信息

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所半导体材料与器件研究室
  • 2. 西安交通大学电子材料研究室
  • 折叠

摘要

关键词

MOCVD/化合物半导体/重复性/半导体薄膜技术

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙一军,夏冠群,张良莹,姚熹..MOCVD源物质Ti(OC4H9)4的重复性研究[J].半导体学报,1999,(4):270,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文