物理学报2009，Vol.58Issue(4)：2707-2712,6.
氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响
Effect of oxygen vacancy defect on the magnetic properties of Co-doped ZnO diluted magnetic semiconductor
摘要
关键词
Co掺杂ZnO/稀磁半导体/第一性原理计算/氧空位缺陷分类
数理科学引用本文复制引用
陈静,金国钧,马余强..氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响[J].物理学报,2009,58(4):2707-2712,6.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60371013,10674058)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2002086)资助的课题. （批准号:60371013,10674058）
