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Si基光电子学的研究与展望

彭英才 ZHAO X W 傅广生王英龙

量子电子学报2004，Vol.21Issue(3)：273-285,13.

Study and prospect of Si-based optoelectronics

彭英才 ¹ZHAO X W ²傅广生 ³王英龙⁴

作者信息

1. 河北大学电子信息工程学院,河北,保定,071002
2. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083
3. Department of Physics,Tokyo University of Science,1-3 Kagurazaka,Shinjuku-ku,162-8601,Tokyo,Japan
4. 中国科学院微电子研究中心,纳米材料与纳米器件实验室,北京,100029
折叠

光电子学/直接带隙Si基低维材料/晶粒有序Si基纳米材料/稳定高效Si基发光器件/全Si光电子集成

信息技术与安全科学

彭英才,ZHAO X W,傅广生,王英龙..Si基光电子学的研究与展望[J].量子电子学报,2004,21(3):273-285,13.

河北省自然科学基金(503125和500084)、中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室和中国科学院微电子研究所资助项目. （503125和500084）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1007-5461

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