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单电子三势垒隧穿结I-V特性研究
单电子三势垒隧穿结I-V特性研究
刘彦欣
王永昌
杜少毅
物理学报
2004，Vol.53
Issue(8)：2734-2740,7.
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物理学报
2004，Vol.53
Issue(8)
：2734-2740,7.
单电子三势垒隧穿结I-V特性研究
The study of I-V characteristics of single-electron triple-barrier tunnel-junction
刘彦欣
1
王永昌
1
杜少毅
1
作者信息
1.
西安交通大学理学院,西安,710049
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摘要
关键词
正统理论
/
库仑台阶
/
主方程
/
隧穿概率
分类
数理科学
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刘彦欣,王永昌,杜少毅..单电子三势垒隧穿结I-V特性研究[J].物理学报,2004,53(8):2734-2740,7.
物理学报
OA
北大核心
CSCD
CSTPCD
SCI
ISSN：
1000-3290
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