半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：275-278,4.
生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响
Effects of Growth Parameters on Proprties of p-Type ZnO Films Grown by MOCVD
摘要
关键词
ZnO/p型掺杂/金属有机化学气相沉积/射频等离子体分类
电子信息工程引用本文复制引用
卢洋藩,叶志镇,曾昱嘉,徐伟中,朱丽萍,赵炳辉..生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响[J].半导体学报,2007,28(z1):275-278,4.基金项目
国家自然科学重点基金(批准号:50532060),国家自然科学基金(批准号:60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目 （批准号:50532060）
