|
国家科技期刊平台
|
注册
中文
EN
首页
|
期刊导航
|
半导体学报
|
单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究
单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究
严勇
李齐
冯端
孙慧龄
王培大
半导体学报
Issue(4)：276,1.
下载
✕
半导体学报
Issue(4)
：276,1.
单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究
严勇
1
李齐
1
冯端
1
孙慧龄
1
王培大
1
作者信息
折叠
摘要
关键词
单晶硅
/
离子注入
/
堆垛层错
/
缺陷
分类
信息技术与安全科学
引用本文
复制引用
严勇,李齐,冯端,孙慧龄,王培大..单晶硅中磷离子注入缺陷的HREM研究[J].半导体学报,1989,(4):276,1.
半导体学报
OA
CSCD
ISSN：
1674-4926
下载
访问量
0
|
下载量
0
段落导航
相关论文
摘要
关键词
分类
引用文本
