原子能科学技术2002，Vol.36Issue(3)：276-279,4.
MOS器件加固技术的理论研究
Theoretic Research of MOSFET Hardening Technology
罗尹虹 1张正选 1姜景和 1姚育娟 1何宝平 1王桂珍 1彭宏论1
作者信息
- 1. 西北核技术研究所,陕西,西安,710024
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摘要
关键词
抗辐射加固/掺杂浓度/辐照偏压/鸟嘴形状分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
罗尹虹,张正选,姜景和,姚育娟,何宝平,王桂珍,彭宏论..MOS器件加固技术的理论研究[J].原子能科学技术,2002,36(3):276-279,4.
