量子电子学报2008，Vol.25Issue(3)：276-281,6.
半导体单量子点增益与吸收特性的研究
Investigation of a single semiconductor quantum dot's absorption and gain properties
摘要
关键词
量子光学/半导体量子点/增益与吸收/崩塌与复苏现象分类
数理科学引用本文复制引用
赵顺才,刘正东,廖庆洪..半导体单量子点增益与吸收特性的研究[J].量子电子学报,2008,25(3):276-281,6.基金项目
国家自然科学基金资助项目(60768001和10464002) （60768001和10464002）
