半导体学报2005，Vol.26Issue(z1)：277-280,4.
Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究
Anealing Effect on Cu/, Ni/4H-SiC Schottky Barrier
杨伟锋 1杨克勤 1陈厦平 1张峰 1王良均 1吴正云1
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摘要
关键词
4H-SiC/Schottky势垒高度/退火分类
数理科学引用本文复制引用
杨伟锋,杨克勤,陈厦平,张峰,王良均,吴正云..Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究[J].半导体学报,2005,26(z1):277-280,4.
