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单晶铜在动态加载下空洞增长的分子动力学研究

罗晋 祝文军 林理彬 贺红亮 经福谦

物理学报2005,Vol.54Issue(6):2791-2798,8.
物理学报2005,Vol.54Issue(6):2791-2798,8.

单晶铜在动态加载下空洞增长的分子动力学研究

Molecular dynamics simulation of void growth in single crystal copper under uniaxial impacting

罗晋 1祝文军 2林理彬 2贺红亮 3经福谦1

作者信息

  • 1. 四川大学物理科学与技术学院,成都,610064
  • 2. 中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳,621900
  • 3. 四川师范大学高压物理研究中心,成都,610068
  • 折叠

摘要

关键词

层裂/分子动力学/动态加载/空洞

分类

数理科学

引用本文复制引用

罗晋,祝文军,林理彬,贺红亮,经福谦..单晶铜在动态加载下空洞增长的分子动力学研究[J].物理学报,2005,54(6):2791-2798,8.

基金项目

国家自然科学基金NSAF联合基金重点项目(批准号:10476027)和中国工程物理研究院科学技术基金项目(批准号:20030104)资助的课题. (批准号:10476027)

物理学报

OA北大核心CSCDSCI

1000-3290

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