半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：279-281,3.
PLD法制备锑掺杂p型ZnO薄膜
Fabrication of Sb-Doped p-Type ZnO Thin Films by PLD
摘要
关键词
脉冲激光沉积/p-ZnO/锑掺杂分类
电子信息工程引用本文复制引用
潘新花,叶志镇,朱丽萍,顾修全,何海平..PLD法制备锑掺杂p型ZnO薄膜[J].半导体学报,2007,28(z1):279-281,3.基金项目
国家自然科学基金(批准号:50532060,60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目 （批准号:50532060,60340460439）
