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提高砷化镓二次电子发射系数的探讨

谢爱根 裴元吉 王荣 孙红兵

强激光与粒子束2005,Vol.17Issue(2):279-282,4.
强激光与粒子束2005,Vol.17Issue(2):279-282,4.

提高砷化镓二次电子发射系数的探讨

Discussion of the improving secondary electron emission coefficient

谢爱根 1裴元吉 1王荣 1孙红兵1

作者信息

  • 1. 中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029
  • 折叠

摘要

关键词

二次电子发射系数/负电子亲和势/二次电子发射材料/逸出深度

分类

数理科学

引用本文复制引用

谢爱根,裴元吉,王荣,孙红兵..提高砷化镓二次电子发射系数的探讨[J].强激光与粒子束,2005,17(2):279-282,4.

基金项目

国家创新工程资助课题 ()

强激光与粒子束

OA北大核心CSCD

1001-4322

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