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MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离

陆曙 童玉珍 陈志忠 秦志新 于彤军 胡晓东 张国义

半导体学报2004,Vol.25Issue(3):279-283,5.
半导体学报2004,Vol.25Issue(3):279-283,5.

MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离

Phase Seperation of InGaN Films Grown by MOCVD

陆曙 1童玉珍 1陈志忠 1秦志新 1于彤军 1胡晓东 1张国义1

作者信息

  • 1. 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,宽禁带半导体研究中心,北京,100871
  • 折叠

摘要

关键词

相分离/InGaN/InN/XRD/MOCVD

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

陆曙,童玉珍,陈志忠,秦志新,于彤军,胡晓东,张国义..MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离[J].半导体学报,2004,25(3):279-283,5.

基金项目

国家高技术研究发展计划(编号:2001AA313110)及国家自然科学基金(批准号:60276010)资助项目 (编号:2001AA313110)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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