砷离子注入体材料碲镉汞的二次离子质谱分析OA北大核心CSCDCSTPCD
SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY CHARACTERIZATION OF ION-IMPLANTED ARSENIC DISTRIBUTION IN BULK HgCdTe
用二次离子质谱(SIMS)分析了低能注入(150keV)砷在体材料碲镉汞中的深度分布和注入砷原子在碲镉汞中的热扩散情况.砷在碲镉汞中的分布表现出复杂的多元扩散机制.在缺陷密度(EPD)比较低的碲镉汞材料中,砷扩散的主体符合恒定扩散系数的有限源扩散模型,呈现出浓度随深度的高斯分布.而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中,砷的分布呈多段指数型分布,表现出更复杂的多机制扩散特性.
赵军;陆慧庆;李向阳;方家熊
中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083中国科学院离子束开放研究实验室,中科院上海冶金研究所,上海,200050中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083中国科学院离子束开放研究实验室,中科院上海冶金研究所,上海,200050
通用工业技术
碲镉汞二次离子质谱砷扩散
《红外与毫米波学报》 2000 (4)
281-284,4
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