n型InP(100)衬底上电沉积氧化锌薄膜的OA北大核心CSCDCSTPCD
Photoluminescence and Formation of ZnO Thin Films on n-InP(100) by Electrodeposition
采用电化学沉积方法在n型InP(100)(1016)衬底上制备了氧化锌薄膜.探索线性扫描伏安法确定InP与0.1 mol/L Zn(NO3)2电解液的体系中沉积氧化锌的极化电势,在20 ℃溶液中,相对于甘汞电极(SCE)的极化电势为-1.187 7 V.扫描电镜照片显示:随着应用电势的降低,氧化锌薄膜变得紧密平滑;狭窄的X射线衍射峰也说明低电势下薄膜的结晶质量较好.光荧光表征发现低电势下制备的氧化锌薄膜具有良好的发光特性.
The ZnO thin films are fabricated by electrodeposition on n-type InP wafers at constant potential. Polarization potential of the deposition of ZnO is firstly confirmed using linear sweep voltammetry in 0.1 mol/L Zn(NO3)2 electrolyte/InP system, which is -1.187 7 V vs. SCE at 20 ℃. Scanning electron microscopy shows that the thin films become smooth and compact with decreasing applied potential, and the narrow X-ray diffraction peaks also show the good crysta…查看全部>>
翁占坤;刘爱民;刘艳红;胡增权
大连理工大学,三束国家重点实验室,物理与光电工程学院,辽宁,大连,116024长春理工大学,生命科学技术学院,吉林,长春,130022大连理工大学,三束国家重点实验室,物理与光电工程学院,辽宁,大连,116024大连理工大学,三束国家重点实验室,物理与光电工程学院,辽宁,大连,116024
数理科学
氧化锌薄膜电沉积X射线衍射光致发光
ZnO thin filmselectrodepositionXRDPL
《发光学报》 2008 (2)
InP规则纳米阵列的制备及相关性质的研究
283-288,6
国家自然科学基金资助项目(60306001).The project supported by the National Natural Science Foundation of China(60306001)
评论