半导体学报Issue(4)：284,1.
900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性
张进书 1金晓军 2贾宏勇 3陈培毅 3钱佩信 3罗台秦 3杨增敏 3黄杰 3梁春广3
作者信息
- 1. 清华大学微电子学研究所
- 2. 香港科技大学电机与电子工程系
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摘要
关键词
双极晶体管/功率特性/异质结分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张进书,金晓军,贾宏勇,陈培毅,钱佩信,罗台秦,杨增敏,黄杰,梁春广..900MHz SiGe异质结双极晶体管的功率特性[J].半导体学报,1999,(4):284,1.
