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甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

杨恢东 吴春亚 赵颖 薛俊明 耿新华 熊绍珍

物理学报2003，Vol.52Issue(11)：2865-2869,5.
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物理学报2003，Vol.52Issue(11)：2865-2869,5.

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

Investigation on the oxygen contamination in the μc-Si∶H thin film deposited by VHF-PECVD

杨恢东 1吴春亚 2赵颖 3薛俊明 1耿新华 1熊绍珍1

作者信息

  • 1. 南开大学光电子研究所,天津,300071
  • 2. 五邑大学薄膜与纳米材料研究所,江门,529020
  • 3. 东华大学理学院,上海,200051
  • 折叠

摘要

关键词

氢化微晶硅薄膜/甚高频等离子体增强化学气相沉积/氧污染

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨恢东,吴春亚,赵颖,薛俊明,耿新华,熊绍珍..甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究[J].物理学报,2003,52(11):2865-2869,5.

基金项目

国家重点基础研究发展规划项目(批准号:G2000028202和G2000028203)和国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA303260)资助的课题. （批准号:G2000028202和G2000028203）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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