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GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

郭亮良 冯倩 马香柏 郝跃 刘杰

物理学报2007，Vol.56Issue(5)：2900-2904,5.
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物理学报2007，Vol.56Issue(5)：2900-2904,5.

GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

Relation between breakdown voltage and current collapse in GaN FP-HEMTs

郭亮良 1冯倩 1马香柏 1郝跃 1刘杰1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
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摘要

关键词

GaN/场板/击穿电压/电流崩塌

分类

数理科学

引用本文复制引用

郭亮良,冯倩,马香柏,郝跃,刘杰..GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系[J].物理学报,2007,56(5):2900-2904,5.

基金项目

国家重大基础研究发展计划(973)(批准号:51327020301,2002CB311904)和西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200616)资助的课题. （973）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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