物理学报2005，Vol.54Issue(6)：2904-2909,6.
离子注入对InAs/GaAs量子点光学效质的影响
Effect of proton implantation on photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
摘要
关键词
量子点/离子注入/峰强分类
数理科学引用本文复制引用
汤乃云,季亚林,陈效双,陆卫..离子注入对InAs/GaAs量子点光学效质的影响[J].物理学报,2005,54(6):2904-2909,6.基金项目
国家自然科学基金创新群体(批准号:60221502),国家自然科学重点基金项目(批准号:10234040),国家自然科学基金(批准号:60476040),上海市科学技术委员会重点项目(批准号:02DJ14066),上海市信息化专项资金项目(批准号:2003010)和国家重点基础研究资助项目(批准号:2001CB610407)资助的课题. （批准号:60221502）
