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微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层

许颖 刁宏伟 张世斌 励旭东 曾湘波 王文静 廖显伯

物理学报2007,Vol.56Issue(5):2915-2919,5.
物理学报2007,Vol.56Issue(5):2915-2919,5.

微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层

Deposition of P-type no-SiC:H thin films with subtle carbon incorporation for applications in p-i-n solar cells

许颖 1刁宏伟 2张世斌 1励旭东 3曾湘波 2王文静 1廖显伯2

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,凝聚态物理中心,北京,100083
  • 2. 北京市太阳能研究所有限公司,北京,100083
  • 3. 葡萄牙里斯本大学材料中心,里斯本2829-516,葡萄牙
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摘要

关键词

光学带隙/纳米硅/薄膜/太阳能电池

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

许颖,刁宏伟,张世斌,励旭东,曾湘波,王文静,廖显伯..微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层[J].物理学报,2007,56(5):2915-2919,5.

基金项目

北京市自然科学基金(批准号:040063)资助的课题. (批准号:040063)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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