详述了RTD器件各高频等效电路模型及其各模型的应用与适用条件.并在40 GHz以下的频率范围内,用CECM描述RTD器件的高频特性也较成功.
作者：王建林;刘忠立
作者单位：中国科学院半导体研究所微电子研发中心,北京,100083中国科学院半导体研究所微电子研发中心,北京,100083
分类：信息技术与安全科学
中文关键词：RTD等效电路高频
刊名：《电子器件》 2003 (1)
页码/页数：29-33,5
评论