以硅为衬底的ZnO p-n结的制备及其结构、光学和电学特性OA北大核心CSCDCSTPCD
ZnO p-n Junctions Grown on Silicon and Their Structural, Optical and Electrical Properties
分别在n型半绝缘Si、弱n(n-)以及强n(n+)型Si片(100)面上用射频磁控反应溅射法和直流磁控反应溅射法制备了p型ZnO薄膜以及ZnO同质p-n结.其中在生长p型ZnO时,反应室中通以过量的氧.对上述p型和n型ZnO薄膜进行了X射线衍射测量,在34.1°附近得到了0.3°左右半峰全宽的ZnO(002)衍射峰.ZnO薄膜的原子力显微镜图像上可见六角型的自组装结构.阴极射线荧光的测量显示了位于390nm的紫外特征峰.用I-V特性仪测量了上述Z…More>>
许小亮;杨晓杰;谢家纯;徐传明;徐军;刘洪图;施朝淑
中国科学院结构分析重点实验室,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026中国科学技术大学,精密机械与精密仪器系,安徽,合肥,230027中国科学院结构分析重点实验室,安徽,合肥,230026
信息技术与安全科学
氧化锌p-n结硅电流-电压特性
《发光学报》 2004 (3)
295-299,5
国家"863"计划(2002AA313030)国家"973"计划(国科基字[2001]51号)和安徽省自然科学基金(00046506)资助项目