首页|期刊导航|物理学报|Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

张永平闫隆解思深庞世谨高鸿钧

物理学报2002，Vol.51Issue(2)：296-299,4.

Self-assembled growth of Ge quantum dots on Si(111)-(7×7) surface

张永平 ¹闫隆 ¹解思深 ¹庞世谨 ¹高鸿钧¹

作者信息

锗,硅,扫描隧道显微镜/自组织生长

数理科学

张永平,闫隆,解思深,庞世谨,高鸿钧..Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长[J].物理学报,2002,51(2):296-299,4.

国家自然科学基金(批准号:6977001,60071009)资助的课题. （批准号:6977001,60071009）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

访问量0

下载量0

段落导航