复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布OA北大核心CSCDCSTPCD
A Novel Combined Gated-Diode Technique for Extracting Lateral Distribution of Interface Traps in SOI NMOSFET
提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.
何进;张兴;黄如;王阳元
北京大学微电子研究所,北京,100871北京大学微电子研究所,北京,100871北京大学微电子研究所,北京,100871北京大学微电子研究所,北京,100871
电子信息工程
SOI技术MOS器件界面陷阱分布热载流子效应复合栅控二极管技术
《半导体学报》 2002 (3)
296-300,5
Motorola和北京大学联合资助项目(合同号:MSPSDDLCHINA-0004)
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