电子科技大学学报2008，Vol.37Issue(2)：297-300,4.
具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型
Electric Field Distribution Analytic Model for Field-Plated GaN HEMT
摘要
关键词
解析模型/击穿电压/电场分布/场板/GaN分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杜江锋,赵金霞,伍捷,杨月寒,武鹏,靳翀,陈卫..具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型[J].电子科技大学学报,2008,37(2):297-300,4.基金项目
国家自然科学基金(6140449) （6140449）
