材料科学与工程学报2007，Vol.25Issue(2)：298-300,3.
硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学模拟
Molecular Dynamics Simulation on Vacancy-interstitial Annihilation in Silicon
王慧娟 1陈成 1邓联文 1江建军1
作者信息
- 1. 华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
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王慧娟,陈成,邓联文,江建军..硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学模拟[J].材料科学与工程学报,2007,25(2):298-300,3.
