半导体学报2002，Vol.23Issue(3)：301-304,4.
应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性
Fabrication and Properties of MFIS FET for NDRO Ferroelectric Memory Application
摘要
关键词
MF(I)S铁电存储器/不挥发铁电存储器/不挥发非破坏性读出/铁电薄膜分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
颜雷,林殷茵,汤庭鳌,黄维宁,姜国宝..应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性[J].半导体学报,2002,23(3):301-304,4.基金项目
国家自然科学基金、上海AM基金、国防科技预研基金、博士点基金资助项目 （）
