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真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO2薄膜及其性质

杜开英 陈义

半导体学报Issue(4)：303,1.
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半导体学报Issue(4)：303,1.

真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO2薄膜及其性质

杜开英 1陈义1

作者信息

  • 1. 四川大学物理系，成都610064
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摘要

关键词

二氧化硅薄膜/生长/低温/CVD法

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杜开英,陈义..真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO2薄膜及其性质[J].半导体学报,1995,(4):303,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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