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泰氟隆烧蚀产物对电子密度的影响

石于中 王毛彦 尹乐 陈伟芳

国防科技大学学报2004,Vol.26Issue(6):30-33,4.
国防科技大学学报2004,Vol.26Issue(6):30-33,4.

泰氟隆烧蚀产物对电子密度的影响

The Effect of Wall Injection of Teflon Ablating Material on Electron Number Density

石于中 1王毛彦 1尹乐 1陈伟芳1

作者信息

  • 1. 国防科技大学航天与材料工程学院,湖南,长沙,410073
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摘要

关键词

烧蚀/化学非平衡/数值计算

分类

航空航天

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石于中,王毛彦,尹乐,陈伟芳..泰氟隆烧蚀产物对电子密度的影响[J].国防科技大学学报,2004,26(6):30-33,4.

国防科技大学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2486

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