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热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究

刘力锋 杨瑞霞 郭惠

红外技术2002,Vol.24Issue(1):30-33,4.
红外技术2002,Vol.24Issue(1):30-33,4.

热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究

Study on Mechanism of Efects on El2 in GaAs by Annealing and Quenching

刘力锋 1杨瑞霞 1郭惠1

作者信息

  • 1. 河北工业大学,电气信息学院,天津,300130
  • 折叠

摘要

关键词

半绝缘砷化镓/热处理/淬火/EL2浓度/砷沉淀

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘力锋,杨瑞霞,郭惠..热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究[J].红外技术,2002,24(1):30-33,4.

基金项目

河北省自然科学基金资助项目(195051) (195051)

红外技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-8891

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