|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|物理学报|4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究

4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究

张洪涛 徐重阳 邹雪城 王长安 赵伯芳 周雪梅 曾祥斌

物理学报2002，Vol.51Issue(2)：304-309,6.
✕
物理学报2002，Vol.51Issue(2)：304-309,6.

4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究

Study on the structural and optic-electronical properties of 4H polytype-SiC films

张洪涛 1徐重阳 2邹雪城 2王长安 2赵伯芳 2周雪梅 2曾祥斌2

作者信息

  • 1. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074；湖北工学院电气工程与计算机科学系,武汉,430068
  • 2. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074
  • 折叠

摘要

关键词

4H-SiC,PECVD,纳米结构,多型薄膜,纳米电子学

分类

数理科学

引用本文复制引用

张洪涛,徐重阳,邹雪城,王长安,赵伯芳,周雪梅,曾祥斌..4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究[J].物理学报,2002,51(2):304-309,6.

基金项目

教育部博士学科点基金(批准号:J9710384),湖北省重大项目(批准号:2000Z04007)资助的课题武汉市重点科技攻关项目,湖北省自然科学基金(批准号:J99100)和国防预研基金(批准号:2000J2.4.3.JW). （批准号:J9710384）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文