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In0.2Ga0.8As/GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

陈辰嘉 高蔚 米立志 黄德平 瞿明 L. Nosenzo

红外与毫米波学报1995，Vol.14Issue(4)：305-309,5.
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红外与毫米波学报1995，Vol.14Issue(4)：305-309,5.

In0.2Ga0.8As/GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

PHOTOREFLECTANCE AND THERMOREFLECTANCE STUDIES OF STRAINED-LAYER In0.2Ga0.5As/GaAs MULTIPLE QUANTUM WELLS STRUCTURE

陈辰嘉 1高蔚 1米立志 1黄德平 1瞿明 1L. Nosenzo2

作者信息

  • 1. 北京大学物理系,北京,100871
  • 2. Dipartimento dl Fisica "A. Volta", Universita di Pavia, I-27100 Pavia, Italy
  • 折叠

摘要

关键词

应变多量子阱/光调制反射谱/热调制反射谱/耦合态

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈辰嘉,高蔚,米立志,黄德平,瞿明,L. Nosenzo..In0.2Ga0.8As/GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究[J].红外与毫米波学报,1995,14(4):305-309,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目 （）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCD

1001-9014

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