西安电子科技大学学报（自然科学版）2003，Vol.30Issue(3)：306-308,325,4.
UVCVD/UHVCVD技术制备SiGe HBT材料
Growth of the SiGe HBT material by UVCVD/UHVCVD
戴显英 1胡辉勇 1张鹤鸣 1孙建诚1
作者信息
- 1. 西安电子科技大学,微电子所,陕西,西安,710071
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摘要
关键词
SiGe材料/紫外光能量辅助化学气相淀积/超高真空化学气相淀积/SiGe异质结双极晶体管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
戴显英,胡辉勇,张鹤鸣,孙建诚..UVCVD/UHVCVD技术制备SiGe HBT材料[J].西安电子科技大学学报（自然科学版）,2003,30(3):306-308,325,4.
