半导体学报2003，Vol.24Issue(3)：307-311,5.
背面Ar+轰击对n-MOSFET低频噪声的影响
Influence of Backsurface Ar+ Bombardment on Low-Frequency Noise Characteristics of n-MOSFET
黄美浅 1李观启 1李斌 1曾绍鸿1
作者信息
- 1. 华南理工大学应用物理系,广州,510641
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摘要
关键词
背面Ar+轰击/低频噪声/迁移率/界面态分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
黄美浅,李观启,李斌,曾绍鸿..背面Ar+轰击对n-MOSFET低频噪声的影响[J].半导体学报,2003,24(3):307-311,5.
