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基于分子量级的化学机械抛光材料去除机理

王永光 赵永武

半导体学报2007,Vol.28Issue(2):308-312,5.
半导体学报2007,Vol.28Issue(2):308-312,5.

基于分子量级的化学机械抛光材料去除机理

Study on the Material Removal Mechanism in Chemical Mechanical Polishing at the Molecular Scale

王永光 1赵永武1

作者信息

  • 1. 江南大学机械工程学院,无锡,214122
  • 折叠

摘要

关键词

化学机械抛光/单分子层机理试验/理论模型

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王永光,赵永武..基于分子量级的化学机械抛光材料去除机理[J].半导体学报,2007,28(2):308-312,5.

基金项目

江苏省自然科学基金(批准号:BK2004020),教育部回国人员启动基金(批准号:[2004]527)和清华大学摩擦学国家重点实验室开放基金(批准号:SKLT04-06)资助项目 (批准号:BK2004020)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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