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LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究

刘红侠 郝跃 朱秉升

西安电子科技大学学报（自然科学版）2000，Vol.27Issue(3)：309-311,3.
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西安电子科技大学学报（自然科学版）2000，Vol.27Issue(3)：309-311,3.

LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究

Study of the deposition process of the SIPOS thin filmprepared by LPCVD

刘红侠 1郝跃 1朱秉升2

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学,微电子所,陕西,西安,710071
  • 2. 西安交通大学,电子工程系,陕西,西安,710049
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摘要

关键词

掺氧半绝缘多晶硅/低压化学气相淀积/含氧量

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘红侠,郝跃,朱秉升..LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究[J].西安电子科技大学学报（自然科学版）,2000,27(3):309-311,3.

基金项目

"八五"国家科技攻关资助项目(857030106) （857030106）

西安电子科技大学学报（自然科学版）

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-2400

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