半导体学报2003，Vol.24Issue(3)：312-317,6.
SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究
Device Model for SOI P-Type Bipolar-MOS Hybrid Mode Transistors with Strained SiGe Layer
摘要
关键词
BMHMT/器件模型/SiGe/SOI分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
夏克军,李树荣,王纯,郭维廉,郑云光,陈培毅,钱佩信..SOI结构P型SiGe沟道混合模式晶体管器件模型研究[J].半导体学报,2003,24(3):312-317,6.基金项目
国家自然科学基金资助项目(批准号:69836020) （批准号:69836020）
